射频高Q值多层电容器
封装尺寸
0402 0603 0805 0505 1111 2525 3838 6243 7676
特点
温度系数:C0G:0~30ppm/℃
电容量漂移:不超过0.2%或0.05pF,取较大者。
品质因数(Q值):频率为1MHz/1KHz时大于2,000
绝缘电阻:在20°C下:≥100000MΩ
工作温度:-55~125℃
电容量漂移:不超过0.2%或0.05pF,取较大者。
品质因数(Q值):频率为1MHz/1KHz时大于2,000
绝缘电阻:在20°C下:≥100000MΩ
工作温度:-55~125℃
应用
适用于各类设备中的高频通讯电路、VHF-微波段、航空系统射频及放大电路中。微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、滤波器、振荡器、计时电路、天线调谐、磁共振成像系统等设备中起耦合、调谐、旁路、隔直作用。
品牌
ATCDLC楼氏电子广州创天北京元六
