射频功率分立功器件
封装尺寸 / 规格
封装工艺：陶封分立功放管 / 塑封分立功放管
产品分类：LDMOS Transistors / GaN Transistors
产品分类：LDMOS Transistors / GaN Transistors
核心特点
分立功放管拥有着高频率、高功率密度和高温稳定性方面具有显著优势
- 横向扩散结构：LDMOS采用双扩散技术，源极和漏极通过两次杂质扩散形成沟道，具有较高的电流承载能力和低导通电阻。
- 集成性强：由于电极位于表面，LDMOS易于与其他元件集成，适合用于功率集成电路（PIC）中。
- 集成性强：由于电极位于表面，LDMOS易于与其他元件集成，适合用于功率集成电路（PIC）中。
产品覆盖 300M-6GHz 功率，支持 28V / 48V / 50V 电压 LDMOS
工艺平台开发，产业链自主可控；GaN 产品组合日益丰富，性能优异；平台化封装设计，可靠性高。
行业应用
宏基站毫米波基站低空经济设备射频放大器信号反制模块图传设备无线通讯设备高速数字电路汽车电子对讲机
合作品牌
NXPFREESCALEAMPLEONMACOMWOLFSPEED/CREEHUATAIINNOTIONinnogrationingacom自主品牌
